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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFH10N100P
IXFH10N100P

IXFH10N100P - IXYS

品番
IXFH10N100P
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFH10N100P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
10 pcs
参考価格
USD 6.71/pcs
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IXFH10N100P 詳細な説明

品番 IXFH10N100P
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 6.5V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 56nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3030pF @ 25V
Vgs（最大） ±30V
FET機能 -
消費電力（最大） 380W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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