SPP08N80C3XK - Infineon Technologies

品番	SPP08N80C3XK
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.9V @ 470µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	60nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1100pF @ 100V
FET機能	-
消費電力（最大）	104W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO220-3
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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