SPP08N80C3XK - Infineon Technologies

Numéro d'article	SPP08N80C3XK
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 470µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 100V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	104W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	PG-TO220-3
Paquet / cas	TO-220-3
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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