SPP03N60C3HKSA1

SPP03N60C3HKSA1 - Infineon Technologies

品番
SPP03N60C3HKSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
3692 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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SPP03N60C3HKSA1 詳細な説明

品番 SPP03N60C3HKSA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 3.2A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.9V @ 135µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 400pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 38W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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