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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IRF100B202
IRF100B202

IRF100B202 - Infineon Technologies

品番
IRF100B202
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IRF100B202 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IRF100B202.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
6737 pcs
参考価格
USD 1.71/pcs
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IRF100B202 詳細な説明

品番 IRF100B202
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 97A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 150µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 116nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4476pF @ 50V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 221W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 8.6 mOhm @ 58A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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