IRF100P219XKMA1 - Infineon Technologies

品番	IRF100P219XKMA1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.8V @ 278µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	270nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	12020pF @ 50V
FET機能	-
消費電力（最大）	341W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247AC
パッケージ/ケース	TO-247-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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