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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IRF100B202
IRF100B202

IRF100B202 - Infineon Technologies

Número de pieza
IRF100B202
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
IRF100B202 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
IRF100B202.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
6737 pcs
Precio de referencia
USD 1.71/pcs
Nuestro precio
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IRF100B202 Descripción detallada

Número de pieza IRF100B202
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 97A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 116nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4476pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 221W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6 mOhm @ 58A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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