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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPU60R2K0C6BKMA1
IPU60R2K0C6BKMA1

IPU60R2K0C6BKMA1 - Infineon Technologies

品番
IPU60R2K0C6BKMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPU60R2K0C6BKMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4278 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IPU60R2K0C6BKMA1 詳細な説明

品番 IPU60R2K0C6BKMA1
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.4A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 60µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 6.7nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 140pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 22.3W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 2 Ohm @ 760mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251-3
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

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