IPU60R2K0C6BKMA1

IPU60R2K0C6BKMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
IPU60R2K0C6BKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3821 pcs
Precio de referencia
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IPU60R2K0C6BKMA1 Descripción detallada

Número de pieza IPU60R2K0C6BKMA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.4A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 60µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 6.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 22.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 760mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
País de origen -

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