• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPU60R1K0CEAKMA2
IPU60R1K0CEAKMA2

IPU60R1K0CEAKMA2 - Infineon Technologies

品番
IPU60R1K0CEAKMA2
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPU60R1K0CEAKMA2 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPU60R1K0CEAKMA2.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
108644 pcs
参考価格
USD 0.2412/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IPU60R1K0CEAKMA2

IPU60R1K0CEAKMA2 詳細な説明

品番 IPU60R1K0CEAKMA2
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4.3A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.5V @ 130µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 13nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 280pF @ 100V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 61W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO251
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

関連製品 IPU60R1K0CEAKMA2

画像 品番 メーカー 説明 見る
IPU60R1K0CEAKMA1 IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 詳細
IPU60R1K0CEAKMA2 IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 詳細
IPU60R1K0CEBKMA1 IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 詳細
IPU60R1K4C6AKMA1 IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 詳細
IPU60R1K4C6BKMA1 IPU60R1K4C6BKMA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 詳細
IPU60R1K5CEAKMA1 IPU60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 詳細
IPU60R1K5CEAKMA2 IPU60R1K5CEAKMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 詳細
IPU60R1K5CEBKMA1 IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 詳細
IPU60R2K0C6AKMA1 IPU60R2K0C6AKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251 詳細
IPU60R2K0C6BKMA1 IPU60R2K0C6BKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 詳細