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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IPU60R1K0CEAKMA2
IPU60R1K0CEAKMA2

IPU60R1K0CEAKMA2 - Infineon Technologies

Numero di parte
IPU60R1K0CEAKMA2
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IPU60R1K0CEAKMA2 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IPU60R1K0CEAKMA2.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
106291 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.2412/pcs
Il nostro prezzo
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IPU60R1K0CEAKMA2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IPU60R1K0CEAKMA2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO251
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso -
Paese d'origine -

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