| Numero di parte | IPU60R1K5CEAKMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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IPU60R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R1K4C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 | Dettagli |
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IPU60R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R1K5CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R1K5CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | Dettagli |
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IPU60R2K0C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251 | Dettagli |
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IPU60R2K0C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 | Dettagli |
