IPL60R104C7AUMA1

IPL60R104C7AUMA1 - Infineon Technologies

品番
IPL60R104C7AUMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPL60R104C7AUMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPL60R104C7AUMA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
8256 pcs
参考価格
USD 3.0583/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IPL60R104C7AUMA1

IPL60R104C7AUMA1 詳細な説明

品番 IPL60R104C7AUMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 490µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 42nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1819pF @ 400V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 122W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 104 mOhm @ 9.7A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-VSON-4
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN
重量 -
原産国 -

関連製品 IPL60R104C7AUMA1