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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › IPL60R104C7AUMA1
IPL60R104C7AUMA1

IPL60R104C7AUMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPL60R104C7AUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IPL60R104C7AUMA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
IPL60R104C7AUMA1.pdf
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
8696 pcs
Referenzpreis
USD 3.0583/pcs
Unser Preis
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IPL60R104C7AUMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPL60R104C7AUMA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 490µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1819pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 122W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 9.7A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-VSON-4
Paket / Fall 4-PowerTSFN
Gewicht -
Ursprungsland -

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