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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPL60R085P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1

IPL60R085P7AUMA1 - Infineon Technologies

品番
IPL60R085P7AUMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 4VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPL60R085P7AUMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
46725 pcs
参考価格
USD 3.52364/pcs
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IPL60R085P7AUMA1 詳細な説明

品番 IPL60R085P7AUMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 85 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 590µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 51nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2180pF @ 400V
FET機能 -
消費電力（最大） 154W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-VSON-4
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN
重量 -
原産国 -

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