IPL60R085P7AUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPL60R085P7AUMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	39A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 590µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	51nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2180pF @ 400V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	154W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-VSON-4
Paquet / cas	4-PowerTSFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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