| 品番 | IPD068P03L3GATMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 70A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 150µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 91nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7720pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 100W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6.8 mOhm @ 70A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
IPD068N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A | 詳細 |
|
IPD068N10N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD068P03L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 詳細 |
|
IPD068P03L3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3 | 詳細 |
