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IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1 - Infineon Technologies

品番: IPD068N10N3GBTMA1
メーカー: Infineon Technologies
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IPD068N10N3GBTMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 3867 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IPD068N10N3GBTMA1 詳細な説明

品番	IPD068N10N3GBTMA1
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	90A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 90µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	68nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4910pF @ 50V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	150W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6.8 mOhm @ 90A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
	IPD068N10N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 90A	詳細
	IPD068N10N3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3	詳細
	IPD068P03L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3	詳細
	IPD068P03L3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3	詳細