IPD068N10N3GBTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	IPD068N10N3GBTMA1
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	68nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4910pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.8 mOhm @ 90A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
IPD068N10N3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 90A	Détails
IPD068N10N3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3	Détails
IPD068P03L3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3	Détails
IPD068P03L3GBTMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3	Détails