IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPD068P03L3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPD068P03L3GATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
IPD068P03L3GATMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
57191 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.462/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPD068P03L3GATMA1
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7720pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8 mOhm @ 70A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR IPD068P03L3GATMA1