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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IPC100N04S51R2ATMA1
IPC100N04S51R2ATMA1

IPC100N04S51R2ATMA1 - Infineon Technologies

品番
IPC100N04S51R2ATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IPC100N04S51R2ATMA1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IPC100N04S51R2ATMA1.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
30583 pcs
参考価格
USD 0.8852/pcs
私達の価格
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IPC100N04S51R2ATMA1 詳細な説明

品番 IPC100N04S51R2ATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 100A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 7V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3.4V @ 90µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 131nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 7650pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 150W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.2 mOhm @ 50A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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