品番 | IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 40V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 100A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 4.5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 60µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 95nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 5340pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±16V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 115W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.5 mOhm @ 50A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
重量 | - |
原産国 | - |