IPB025N10N3GE8187ATMA1 詳細な説明
品番 |
IPB025N10N3GE8187ATMA1 |
部品ステータス |
Not For New Designs |
FETタイプ |
N-Channel |
技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) |
100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) |
180A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs |
2.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id |
3.5V @ 275µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs |
206nC @ 10V |
Vgs(最大) |
±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds |
14800pF @ 50V |
FET機能 |
- |
消費電力(最大) |
300W (Tc) |
動作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ |
Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ |
PG-TO263-7 |
パッケージ/ケース |
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
重量 |
- |
原産国 |
- |
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