IPB025N10N3GE8187ATMA1 상세 설명
부품 번호 |
IPB025N10N3GE8187ATMA1 |
부품 상태 |
Not For New Designs |
FET 유형 |
N-Channel |
과학 기술 |
MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) |
100V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
180A |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs |
2.5 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id |
3.5V @ 275µA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
206nC @ 10V |
Vgs (최대) |
±20V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
14800pF @ 50V |
FET 기능 |
- |
전력 발산 (최대) |
300W (Tc) |
작동 온도 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 |
Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 |
PG-TO263-7 |
패키지 / 케이스 |
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
무게 |
- |
원산지 |
- |
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