| 品番 | IPB025N10N3 G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 180A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 275µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 206nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 14800pF @ 50V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.5 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO263-7 |
| パッケージ/ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPB020N04N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 | 詳細 |
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IPB020N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7 | 詳細 |
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IPB020N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3 | 詳細 |
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IPB020N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7 | 詳細 |
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IPB020N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 | 詳細 |
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IPB020NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 | 詳細 |
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IPB020NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO263-3 | 詳細 |
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IPB021N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 詳細 |
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IPB022N04LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 | 詳細 |
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IPB023N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 | 詳細 |
