IPB025N10N3 G - Infineon Technologies

Número de pieza: IPB025N10N3 G
Fabricante: Infineon Technologies
Breve descripción: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 7405 pcs
Precio de referencia: USD 3.4368/pcs
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Número de pieza	IPB025N10N3 G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	180A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 275µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	14800pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 100A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO263-7
Paquete / caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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