品番 | BSZ900N20NS3GATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 15.2A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 30µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 11.6nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 920pF @ 100V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 62.5W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8 |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
重量 | - |
原産国 | - |