BSZ900N20NS3GATMA1

BSZ900N20NS3GATMA1 - Infineon Technologies

品番
BSZ900N20NS3GATMA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
219397 pcs
参考価格
USD 0.75046/pcs
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BSZ900N20NS3GATMA1 詳細な説明

品番 BSZ900N20NS3GATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 30µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 11.6nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 920pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 62.5W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
重量 -
原産国 -

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