BSZ900N20NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numero di parte: BSZ900N20NS3GATMA1
fabbricante: Infineon Technologies
Breve descrizione: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0.75046/pcs
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Numero di parte	BSZ900N20NS3GATMA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.6nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	920pF @ 100V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	62.5W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TSDSON-8
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BSZ900N15NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8	Dettagli
BSZ900N15NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8	Dettagli
BSZ900N20NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON	Dettagli
BSZ900N20NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON	Dettagli