BSZ086P03NS3EGATMA1 詳細な説明
| 品番 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 |
| 部品ステータス |
Active |
| FETタイプ |
P-Channel |
| 技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） |
30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） |
13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs |
8.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id |
3.1V @ 105µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs |
57.5nC @ 10V |
| Vgs（最大） |
±25V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds |
4785pF @ 15V |
| FET機能 |
- |
| 消費電力（最大） |
2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| 動作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ |
Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ |
PG-TSDSON-8 |
| パッケージ/ケース |
8-PowerTDFN |
| 重量 |
- |
| 原産国 |
- |
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