BSZ086P03NS3EGATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSZ086P03NS3EGATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	13.5A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.1V @ 105µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	57.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4785pF @ 15V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TSDSON-8
Paket / Fall	8-PowerTDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
BSZ086P03NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ086P03NS3E G	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ086P03NS3EGATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	Einzelheiten
BSZ086P03NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8	Einzelheiten