BSZ086P03NS3EGATMA1 상세 설명
| 부품 번호 |
BSZ086P03NS3EGATMA1 |
| 부품 상태 |
Active |
| FET 유형 |
P-Channel |
| 과학 기술 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) |
30V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) |
13.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
6V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs |
8.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id |
3.1V @ 105µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs |
57.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) |
±25V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds |
4785pF @ 15V |
| FET 기능 |
- |
| 전력 발산 (최대) |
2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| 작동 온도 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 |
Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 |
PG-TSDSON-8 |
| 패키지 / 케이스 |
8-PowerTDFN |
| 무게 |
- |
| 원산지 |
- |
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