| 品番 | BGB 540 E6327 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 3.5V |
| 周波数 - 遷移 | - |
| ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） | 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| 利得 | 16dB ~ 17.5dB |
| 電力 - 最大 | 120mW |
| DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 30mA |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | SC-82A, SOT-343 |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-SOT343-4 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
|
BGB 540 E6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343 | 詳細 |
