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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BGB 540 E6327
BGB 540 E6327

BGB 540 E6327 - Infineon Technologies

Numero di parte
BGB 540 E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BGB 540 E6327 Navigazione online PDF
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BGB 540 E6327.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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BGB 540 E6327 Descrizione dettagliata

Numero di parte BGB 540 E6327
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3.5V
Frequenza - Transizione -
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno 16dB ~ 17.5dB
Potenza - Max 120mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Corrente - Collector (Ic) (Max) 30mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SC-82A, SOT-343
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT343-4
Peso -
Paese d'origine -

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Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
BGB 540 E6327 BGB 540 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343 Dettagli