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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - Bipolar (BJT) - HF › BGB 540 E6327
BGB 540 E6327

BGB 540 E6327 - Infineon Technologies

Artikelnummer
BGB 540 E6327
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
BGB 540 E6327 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
BGB 540 E6327.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4382 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
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BGB 540 E6327 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer BGB 540 E6327
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 3.5V
Frequenz - Übergang -
Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinnen 16dB ~ 17.5dB
Leistung max 120mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce -
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-82A, SOT-343
Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR BGB 540 E6327

Bild Artikelnummer Hersteller Beschreibung Aussicht
BGB 540 E6327 BGB 540 E6327 Infineon Technologies TRANSISTOR RF ACT BIAS SOT-343 Einzelheiten