GA10SICP12-263 - GeneSiC Semiconductor

品番	GA10SICP12-263
部品ステータス	Active
FETタイプ	-
技術	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	25A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	-
Vgs（th）（Max）@ Id	-
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1403pF @ 800V
Vgs（最大）	-
FET機能	-
消費電力（最大）	170W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	100 mOhm @ 10A
動作温度	175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK (7-Lead)
パッケージ/ケース	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
重量	-
原産国	-

画像	品番	メーカー	説明	見る
	GA10SICP12-247	GeneSiC Semiconductor	SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV	詳細
	GA10SICP12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 25A TO263-7	詳細