GA10SICP12-263 - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	GA10SICP12-263
État de la pièce	Active
FET Type	-
La technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss)	1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	25A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
Vgs (Max)	-
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Paquet / cas	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	GA10SICP12-247	GeneSiC Semiconductor	SIC CO-PACK SJT/RECT 10A 1.2KV	Détails
	GA10SICP12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 25A TO263-7	Détails