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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FDP038AN06A0
FDP038AN06A0

FDP038AN06A0 - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FDP038AN06A0
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
1632 pcs
参考価格
USD 3.73/pcs
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FDP038AN06A0 詳細な説明

品番 FDP038AN06A0
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 17A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 6V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 124nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 6400pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 310W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 3.8 mOhm @ 80A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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