FDP038AN06A0 - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FDP038AN06A0
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	17A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6400pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	310W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-220-3
Paket / Fall	TO-220-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDP020N06B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP020N06B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP023N08B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP023N08B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP025N06	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220	Einzelheiten
FDP027N08B	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3	Einzelheiten
FDP027N08B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP027N08B_F102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3	Einzelheiten
FDP030N06	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO220	Einzelheiten
FDP030N06B-F102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3	Einzelheiten