| Artikelnummer | FDP020N06B_F102 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 268nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20930pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 333W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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FDP020N06B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP020N06B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP023N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP023N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP025N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 | Einzelheiten |
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FDP027N08B | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP027N08B-F102 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
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FDP027N08B_F102 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3 | Einzelheiten |
