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FDP020N06B_F102

FDP020N06B_F102 - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FDP020N06B_F102
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FDP020N06B_F102 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2932 pcs
参考価格: USD 5.39/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FDP020N06B_F102 詳細な説明

品番	FDP020N06B_F102
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	120A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	268nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	20930pF @ 30V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	333W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	2 mOhm @ 100A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220-3
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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画像	品番	メーカー	説明	見る
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