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FDD3510H - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FDD3510H
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FDD3510H PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 54587 pcs
参考価格: USD 0.4959/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FDD3510H 詳細な説明

品番	FDD3510H
部品ステータス	Active
FETタイプ	N and P-Channel, Common Drain
FET機能	Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	80V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	4.3A, 2.8A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	18nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	800pF @ 40V
電力 - 最大	1.3W
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252-4L
重量	-
原産国	-

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