FDD3510H

FDD3510H - Fairchild/ON Semiconductor

Numéro d'article
FDD3510H
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
Brève description
MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
53478 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4959/pcs
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FDD3510H Description détaillée

Numéro d'article FDD3510H
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel, Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.3A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 40V
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Package de périphérique fournisseur TO-252-4L
Poids -
Pays d'origine -

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