FDB3652

FDB3652 - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FDB3652
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
12000 pcs
参考価格
USD 1.5458/pcs
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FDB3652 詳細な説明

品番 FDB3652
部品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Ta), 61A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 6V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 53nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2880pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 150W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 16 mOhm @ 61A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263AB)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
重量 -
原産国 -

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