| Número de pieza | FDB3652 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9A (Ta), 61A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2880pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 61A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7 | Detalles |
