| 品番 | EPC2111ENGRT |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 16A (Ta) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| 電力 - 最大 | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | Die |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
|---|---|---|---|---|
.jpg "EPC2001") |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 詳細 |
.jpg "EPC2007") |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 詳細 |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 詳細 |
