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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › EPC2111ENGRT
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT - EPC

Numero di parte
EPC2111ENGRT
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EPC2111ENGRT Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
15000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.694/pcs
Il nostro prezzo
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EPC2111ENGRT Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2111ENGRT
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso -
Paese d'origine -

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