EPC2111ENGRT Description détaillée
| Numéro d'article |
EPC2111ENGRT |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
30V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
16A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 5mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
| Puissance - Max |
- |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
Die |
| Package de périphérique fournisseur |
Die |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
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