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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › EPC2101ENG
EPC2101ENG

EPC2101ENG - EPC

品番
EPC2101ENG
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4317 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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EPC2101ENG 詳細な説明

品番 EPC2101ENG
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.5A, 38A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 2mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 2.7nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 300pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

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