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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Arreglos › EPC2101ENG
EPC2101ENG

EPC2101ENG - EPC

Número de pieza
EPC2101ENG
Fabricante
EPC
Breve descripción
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
EPC2101ENG Navegación en línea de PDF
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
3837 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
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EPC2101ENG Descripción detallada

Número de pieza EPC2101ENG
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V
Potencia - Max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Die
Peso -
País de origen -

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