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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › EPC2101ENG
EPC2101ENG

EPC2101ENG - EPC

Numero di parte
EPC2101ENG
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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EPC2101ENG Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2101ENG
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso -
Paese d'origine -

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